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词语多晶硅拆分为汉字：
多字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，多字字源来历，多字演变
数量大，与“少”、“寡”相对：人～。～年。～姿。～层次。～角度。～难（nàn ）兴（xīng ）邦。～～益善。～行不义必自毙。数目在二以上：～年生草。～项式。～义词。～元论。有余，比一定的数目大：～余。一年～。过分，不必要的：～嘴。～心。～……
晶字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，晶字字源来历，晶字演变
〔结～〕ａ．物质从液态或气态形成晶体；ｂ．喻珍贵的成果，如“这部作品是他多年研究的～～”。形容光亮：～莹。～亮。～明。亮～～。……
硅字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，硅字字源来历，硅字演变
一种非金属元素，是一种半导体材料，可用于制作半导体器件和集成电路。旧称“矽”。……
查询词语：多晶硅
汉语拼音：duō jīng guī
当然，这在生产方面如果粒状多晶硅的质量都没有达到及格，繁重的任务将是毫无意义的。
定向凝固工艺是物理冶金法制备太阳能级多晶硅的一个重要环节。
当前中国多晶硅企业在该材料供应过剩的情况下仍大幅提高产量，政府在此背景下出台了进口禁令。
瓦克多晶硅业务部门的EBITDA为86.5（上年同期：130.7）百万欧元，低于上年和上个季度数值。
但是只是领导制造，中国的太阳能技术来源半数的多晶硅来之中国以外，而且30%来自美国。
据该公司网站介绍，信泰集团开始生产太阳能单晶硅、太阳能多晶硅、太阳能电池及太阳能组件系统等光伏产品。
回到技术方面，雷斯打破了当谈到多晶硅常见的质量疑虑。
还原工艺的成熟程度是决定多晶硅产量和产品质量的核心所在。
这在很大程度上是多晶硅生产规模大幅提升引发太阳能电池板价格下跌的反应。
晶体管可以形成为具有被电介质覆盖的第一多晶硅层。
与传统的大型多晶硅太阳能电池相比，它的质量更好更便宜。
当时多晶硅价格飙升，2008年涨价到每公斤450美元，一年之内涨了10倍。
多晶硅化金属层设置于杂质掺杂多晶硅层上，而多晶硅化金属层与多晶硅层可作为字线。
本发明涉及一种由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，属于多晶硅生产领域。
在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。
多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长，起内吸杂作用。
OCI在多晶硅产能上的大幅提升充分展示了其为了占领高纯度多晶硅市场的决心。
所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。
避免金属在多晶硅栅上走线，会增加寄生电容。
目前常用的太阳能电池有单晶硅电池、多晶硅电池盒非硅晶薄膜电池。
然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。
国内外生产多晶硅的主要方法，并对改良西门子法做简要描述。
本发明公开一种多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法。
第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。
并且这种多晶硅加热结构还可以去除吸附在表面的可挥发性的杂质。
多晶硅电池含有细小颗粒的单晶硅，它含有很多细小光亮的成分。
研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系，而且还具有较快的工作速度。
价格下跌的原因是，多晶硅和成品面板产能过剩，以及中国生产成本低廉。
这有持续性的本质有助于降低多晶硅成本。
多晶硅常用在被称作门的晶体管元件中，已在标准的芯片制造工艺中使用了几十年。
奥瑟亚生产多晶硅——一种在制造太阳能电池板中用到的原料。
随着半导体工业的发展，市场对多晶硅的需求越来越大。
多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法。
传感器结构由两对交叉的梳状铝电极，每个为21根铝条，以及60根多晶硅加热条组成。
接着，通过一分光器将一光源分成一第一光束及一用以照射于第一多晶硅区的一第二光束。
大量资金从国有企业和银行涌进多晶硅生产商，地方政府加快了新建工厂的审批流程。
针对器件尺寸进一步缩小和器件频率特性进一步提高需求，本论文提出一种新型的突起型多晶硅栅结构。
随着中国数十家新建多晶硅生产商开工运营，太阳能板价格下跌，今年的形势随之发生变化。
继而经由一化学气相沉积制程沉积一氧化物层于该多晶硅层上以充填该沟槽。
多晶硅是从砂石中提炼而出，目前半导体行业是其最大的用户。
近年来，由于现有多晶硅制造商不愿意迅速扩大产能，太阳能行业的增长一直受到制约。
杂质掺杂多晶硅层设置于两绝缘区与反熔丝上。
请英语高手帮忙翻译以下：多晶硅的还原生产有多种方法：硅烷法、西门子法以及改良西门子法等。
多晶硅经光刻后便形成力敏电阻条。
尽管一些全球规模最大的多晶硅生产商最近宣布扩大产能，但业内专家仍发出上述警告。
其它五大行业分别为水泥、平板玻璃、煤化工、多晶硅和风电设备。
就是说，使用电测量的方法测试多晶硅的断裂强度，有测试方法简单的效果。
NMOS晶体管（A）的门电极（16）在n-型掺杂的不含锗的多晶硅层（14）上形成。
新建多晶硅和单晶硅太阳能。
本文主要研究陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池的制备。
公司主要生产以下产品：1。单晶硅、多晶硅太阳能电池板，太阳能发电系统，太阳能小电源；
多晶硅的价格去年夏天因慷慨补贴，已迅速增加至每公斤450美元。
对于国内光伏行业的新兴企业来说，由于主要依赖废多晶硅这种廉价原料来制造光伏晶圆和电池板，所受冲击就更为严重。
随着太阳能技术的兴起，多晶硅的供应紧张和价格上涨。
北京迅速采取应对措施，把国内多晶硅供应的开发列为全国重点任务。
利用L-EDIT进行全定制版图设计，利用双层多晶硅N阱CMOS工艺进行芯片制造。
其中，采用冶金手段提纯制备太阳能级多晶硅以其成本低、无污染等特点尤其受到重视。
煤电厂和多晶硅生产商联姻，产生不了什么协同效应。
本发明还提供了一种多晶硅的连续生产方法。
以及沉积于所述栅极氧化物之上的栅极多晶硅。
瞬息之间，多晶硅供应便从短缺变成了过剩。
在半导体基板的上面通过栅极绝缘膜设置由多晶硅构成的浮栅。
这是世界上第一台出现在市场上的这类多晶硅铸锭炉，并且有着最大的产能。
MEMC还出产和发卖多晶硅，这是出产原始晶圆的要害材料。
在西方，多晶硅工厂要经过冗长的审批，得花数年时间才能建起来。
在集团的总投资额中，有近三分之二是在瓦克多晶硅业务部门。
所述多晶硅瓦片由与所述栅极相同层的多晶硅制成，且其与所述栅极同时形成。
本论文从实验角度出发，采用交流量热法对二氧化硅、氮化硅和多晶硅薄膜的热扩散率进行研究。
同样发展迅猛的太阳能产业也存在类似风电公司的担忧，不过其制约因素是多晶硅的短缺。
国内多晶硅产业正处在一个快速增长周期，多晶硅工厂的设计市场方兴未艾。
多晶硅电容约有10%工艺变化。
三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。
自那以后，多晶硅价格暴跌至每公斤55美元左右。
第一多晶硅层还包括在其中的空隙。
保利协鑫能源执行总裁江游表示，“这对中国的多晶硅行业和环境都有好处。”
作为制备多晶硅的重要原料——三氯氢硅也越来越供不应求。
多晶硅太阳电池的绒面技术。
栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。
展望未来，西门子法仍将是生产高纯度多晶硅的主流技术。
如何获得好的表面织构化工艺是目前多晶硅太阳电池研究的重点。
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，几乎能与任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成SiHCl3 ，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。
西门子法
西门子法是由德国Siemens公司发明并于1954年申请了专利1965年左右实现了工业化。经过几十年的应用和发展，西门子法不断完善，先后出现了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法，它在第二代的基础上增加了还原尾气干法回收系统、SiCl4回收氢化工艺，实现了完全闭环生产，是西门子法生产高纯多晶硅技术的最新技术，其具体工艺流程如图1所示。硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用。
硅烷法
硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，是硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。因硅烷制备方法不同，有日本Komatsu发明的硅化镁法，其具体流程如图2所示、美国Union Carbide发明的歧化法、美国MEMC采用的NaAlH4与SiF4反应方法。
硅化镁法是用Mg2Si与NH4Cl在液氨中反应生成硅烷。该法由于原料消耗量大，成本高，危险性大，而没有推广，现在只有日本Komatsu使用此法。现代硅烷的制备采用歧化法，即以冶金级硅与SiCl4为原料合成硅烷，首先用SiCl4、Si和H2反应生成SiHCl3 ，然后SiHCl3 歧化反应生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2 进行催化歧化反应生成SiH4 ，即：3SiCl4+ Si+ 2H2= 4SiHCl3，2SiHCl3= SiH2Cl2+ SiCl4，3SiH2Cl2=SiH4+ 2SiHCl3。由于上述每一步的转换效率都比较低，所以物料需要多次循环，整个过程要反复加热和冷却，使得能耗比较高。制得的硅烷经精馏提纯后，通入类似西门子法固定床反应器，在800℃下进行热分解，反应如下：SiH4= Si+ 2H2。
硅烷气体为有毒易燃性气体，沸点低，反应设备要密闭，并应有防火、防冻、防爆等安全措施。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，决定了它是一种高危险性的气体。硅烷应用和推广在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或实验中，不当的设计、操作或管理均会造成严重的事故甚至灾害。然而，实践表明，过分的畏惧和不当的防范并不能提供应用硅烷的安全保障。因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生产线和实验室应该高度关注的问题。
硅烷热分解法与西门子法相比，其优点主要在于：硅烷较易提纯，含硅量较高（87.5%，分解速度快，分解率高达99%），分解温度较低，生成的多晶硅的能耗仅为40 kW ·h/kg，且产品纯度高。但是缺点也突出：硅烷不但制造成本较高，而且易燃、易爆、安全性差，国外曾发生过硅烷工厂强烈爆炸的事故。因此，工业生产中，硅烷热分解法的应用不及西门子法。改良西门子法目前虽拥有最大的市场份额，但因其技术的固有缺点—产率低，能耗高，成本高，资金投入大，资金回收慢等，经营风险也最大。只有通过引入等离子体增强、流化床等先进技术，加强技术创新，才有可能提高市场竞争能力。硅烷法的优势有利于为芯片产业服务，其生产安全性已逐步得到改进，其生产规模可能会迅速扩大，甚至取代改良西门子法。虽然改良西门子法应用广泛，但是硅烷法很有发展前途。与西门子方法相似，为了降低生产成本，流化床技术也被引入硅烷的热分解过程，流化床分解炉可大大提高SiH4 的分解速率和Si的沉积速率。但是所得产品的纯度不及固定床分解炉技术，但完全可以满足太阳能级硅质量要求，另外硅烷的安全性问题依然存在。
美国MEMC公司采用流化床技术实现了批量生产，其以NaAlH4 与SiF4 为原料制备硅烷，反应式如下：SiF4+NaAlH4=SiH4+NaAlF4。硅烷经纯化后在流化床式分解炉中进行分解，反应温度为730℃左右，制得尺寸为1000微米的粒状多晶硅。该法能耗低，粒状多晶硅生产分解电耗为12kW·h/kg左右，约为改良西门子法的1/10，且一次转化率高达98%，但是产物中存在大量微米尺度内的粉尘，且粒状多晶硅表面积大，易被污染，产品含氢量高，须进行脱氢处理。
冶金法
冶金法制备太阳能级多晶硅（Solar Grade Silicon简称SOG—Si），是指以冶金级硅（MetallurgicalGrade Silicon简称MG-Si）为原料（98.5%~99.5%）。经过冶金提纯制得纯度在99.9999%以上用于生产太阳能电池的多晶硅原料的方法。冶金法在为太阳能光伏发电产业服务上，存在成本低、能耗低、产出率高、投资门槛低等优势，通过发展新一代载能束高真空冶金技术，可使纯度达到6N以上，并在若干年内逐步发展成为太阳能级多晶硅的主流制备技术。
不同的冶金级硅含有的杂质元素不同，但主要杂质基本相同，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等杂质元素。而且针对不同的杂质也研究了一些有效的去除方法。自从1975年Wacker公司用浇注法制备多晶硅材料以来，冶金法制备太阳能级多晶硅被认为是一种有效降低生产成本、专门定位于太阳多级多晶硅的生产方法，可以满足光伏产业的迅速发展需求。针对不同的杂质性质，制备太阳能级多晶硅的技术路线。
1）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。
2）氧气：助燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。与易燃物（如乙炔、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。
3）氯气：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。属高毒类。是一种强烈的刺激性气体。
4）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。
5）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与氧化剂发生反应，有燃烧危险。极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧（分解）产物：氯化氢、氧化硅。
6）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。
7）氢氟酸：腐蚀性极强。遇H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应，放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。
8）硝酸：具有强氧化性。与易燃物（如苯）和有机物（如糖、纤维素等）接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。
9）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂和爆炸的危险。
10）氟化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。
在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料
冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提纯（电子级多晶硅纯度要求11N，太阳能电池级只要求6N）。而在提纯过程中，有一项“三氯氢硅还原法（西门子法）”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅，以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国，而这些国家把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料，以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。
得到高纯度的多晶硅后，还要在单晶炉中熔炼成单晶硅，以后切片后供集成电路制造等用。可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。