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词语：晶圆热度：6
词语晶圆拆分为汉字：
晶字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，晶字字源来历，晶字演变
〔结～〕ａ．物质从液态或气态形成晶体；ｂ．喻珍贵的成果，如“这部作品是他多年研究的～～”。形容光亮：～莹。～亮。～明。亮～～。……
圆字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，圆字字源来历，圆字演变
从中心点到周边任何一点的距离都相等的形：～形。～圈。～周。～锥。～柱。完备，周全：～满。～全。使之周全：自～其说。～谎。～场。占梦以决吉凶：～梦。宛转，滑利：～滑。～润。运转无碍：～熟。～通。货币单位。亦作“元”。姓。……
查询词语：晶圆
汉语拼音：jīng yuán
词语晶圆基本解释
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和12英寸为主。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
词语晶圆在线造句
原始测试晶圆片-还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。
亚阈区电流测试常常在晶圆片级进行。它是表示器件打开和关闭的快慢程度的参数。
绿色的“非金属添加工具（metalfreetool）”标志意味着硅晶圆必须得经过这台机器的处理以后，才能去添加铜质电路。
沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
在德累斯顿的另外一个被称为芯片制造工厂的大晶圆厂则表现了一种纯粹破坏性的的改变。
沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。
而建一座高度自动化的、可以用太阳能晶圆制造太阳能电池的工厂则需六个月至一年时间。
而要是使晶圆像留声机唱盘那样旋转，让含有奈米碳管的溶剂附著在晶圆表面，也还是有问题。
她用沥青香烟及缝纫线产品的晶圆，并敦促年轻人进入统一的，若只能童子军。
波纹-晶圆片表面经常出现的缺陷。
以及进行第二晶圆允收测试（WAT）步骤，以测试第一金属化层的导通性。
最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。
然而，由于制造偏差，FBAR器件的频率响应在晶圆上可能略微改变。
测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。
现时只有一些大型公司及无晶圆设计公司内设有集成电路设计小组，但为数不多。
波浪-晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。
今日，就Intel而言，其先进晶圆厂的建设花费超过60亿美元，其中包括所有准备工作。
国家发改委表示，大连工厂将能在300毫米晶圆片上，制造精度高达90纳米的芯片组。
这个棘齿看起来比较像纱布：数以千计的平行孔道贯穿一片薄薄的矽晶圆。
如要利用蒸气将奈米碳管建构在晶圆上，则需很高的温度，但这样一来，原来的电路就会毁坏。
一种晶圆级镜头模组及其制造方法。
氯苯是种很合适的溶剂，但因为含有剧毒，晶圆厂严禁使用。
研究人员目前正在扩展他们的工作，将单层石墨烯迁移到硅晶圆片上。
工程师需以肉眼检查晶圆并手动标记缺陷区域，此举往往无可避免地导入可观的人事成本。
通常所有被光学检验捕获的光罩缺陷，均需要进行修补，而尽管事实上其中的许多缺陷并不会在晶圆上产生问题。
memc已率先在设计和开发的晶圆技术，在过去四十年。
划伤-晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。
流行的用来移动微小电路到晶圆上的印刷工具价值5千万美元。
局部光散射-晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
在几年之内，晶圆厂将生产出直径为四百五十毫米的晶圆，超出现在的300毫米，从而进一步提高产能。
Endura平台是一种模块化的可配置系统，用来在晶圆上沉积金属和金属合金。
印度理工大学的一开始是无晶圆厂的半导体产品供应商的数学协处理器和图形芯片组市场。
杨阳表示：「我们将薄片沉积在矽晶圆或比较容易弯曲的其他基材上。」
半导体晶圆厂的设备非常昂贵，对设备利用率的要求较高，设计一套简单实用的办法进行产能规划是十分必要的。
已经设计出专门的探头来测量半导体晶圆片和半导体棒的电阻率。
将芯片标识图形转移至晶圆的芯片切割保护环上，形成芯片标识。
堆垛-晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
这样的成分组成的网络互连实际上是在一个单一的晶圆制造的半导体材料。
颗粒-晶圆片上的细小物质。
就成长性而言，IC封装测试业、晶圆材料业、IC制造业-不含DRAM及IC基板业等属于稳定成长型产业；
微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。
平边-晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。
一串制程因子的实验设计，以晶圆薄膜厚度近九点量测。
沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。
颗粒计算-用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
装满硅晶圆的FOUP重量可达9公斤，因此自动化操作就成了洁净室设计的一项重要内容。
该器件提供两种封装：32引脚架构芯片级封装（LFCSP）和25引脚晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。
化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。
建议使用晶圆风格改装聚结器，因为它们的前两节可以在需要时进行更换。
大分厂则为东芝主要的系统晶片生产基地，月产能为1.1万片晶圆。
层-晶圆片表面结构的主要方向。
吴小钰说，“行业中最可能受该政策影响的是本地电池板和晶圆厂商，尤其是小型企业。”
而在台湾大学奈米机电系统研究中心完整的研发晶圆切割技术。
介绍了RFID芯片封装设备中，晶圆的识别与定位技术。
必需-订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
通过对半导体加工工艺的分析研究，提出了用磨料水射流切割半导体材料，包括晶圆的切割、芯片的终端封装切割。
分析师说，其他晶圆生产商可能会接手，并受益于订单的增加。
粗糙度-晶圆片表面间隙很小的纹理。
批次-具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
理想情况下，在晶圆中形成的所有器件具有相同的谐振频率。
检查项目请参考“溅镀站检验标准书”来检验晶圆及制造流程卡
赴…县参观力晶半导体十二吋晶圆厂
各位IBM的晶圆厂俱乐部捍卫它的技术，认为它优于竞争产品。
MOSFET的封装主要由晶圆切割，晶粒黏贴，焊线，封塑，切割成型这五大流程组成。
施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。
另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料（氧化物或化合物）的质量有关。
Inova半导体有限公司是一家无晶圆半导体制造商，总部设在德国慕尼黑举行。
这就是为什么高工资国家贬值的晶圆厂濒临极高危险的起因。
实验一装置：加热板与矽晶圆（右）连接至感温棒（左）。
雾度-晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。
如今，客户直接将订单和收入交给中芯国际，由中心国际将生产外包给晶圆厂。
为了达到规模经济以抵消大量的前期投入，芯片制造商必须建造更大的晶圆厂。
面对微利时代，台湾晶圆代工产业如何创造更多的利润。
中芯国际计划提高其上海、天津和北京晶圆厂的产能。
清洗结束后，晶圆表面纳米尺度的孔型结构中残留的是异丙醇（IPA）液体。
在干燥过程中，氮气环境下置于卡盘中的晶圆通过高速旋转，来加速其表面IPA的蒸发。
所有这些解释了为什么2007年兴建的40个晶圆厂有35个在亚洲，3个在美国，只有两个在欧洲。
LDK生产晶圆，这是太阳能电池的主要材料。而太阳能电池则用于太阳能板中。
首先将建立两吋晶圆之热传模型以模拟雷射剥离后之温度场。
词语晶圆百科解释：
晶圆制作流程
如图1所示，常见的 200mm CMOS 芯片的晶圆制造过程。
化学气相沉积是在制造微电子器件时被用来沉积出某种薄膜的技术，这种薄膜可能是介电材料或者半导体。物理气相沉积技术则是使用惰性气体，撞击溅镀靶材，在晶圆表面沉积出所需的材质。制程反应室内的高温和真空环境可以使这些金属原子结成晶粒，在经过图案化（patterned）和蚀刻，得到所需的导电电路。
光学显影是将光罩上的图形转换到薄膜上。光学显影一般包括光阻涂布、烘烤、光照对准、曝光和显影等步骤。干式蚀刻是最常用的蚀刻方式，其以气体为主要的蚀刻媒介，由电浆来驱动反应。蚀刻是将表面某种不需要的材质部分移除。
化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是既有机械研磨又有酸碱溶液式的化学研磨两种相结合的技术，可以使晶圆表面较为平坦，方便后面工序。在进行研磨时，研磨浆在晶圆和研磨垫之间。影响CMP的因素有：研磨头的压力和晶圆平坦度，旋转速度，研磨浆的化学成分等等。
晶圆性能参数
硅晶圆和硅太阳能电池分别是半导体材料和半导体器件的典型代表。半导体特性参数衡量和表征材料及其器件的性能。由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，同时载流子具有发光、热辐射等特性，因此载流子参数是表征半导体材料及器件载流子输运特性的基础，即载流子参数是硅晶圆和硅太阳能电池特性参数的重要组成部分。当硅晶圆经过加工、制造形成硅太阳能电池后，由于pn结和费米能级的差异，导致载流子分离形成电压，进而有饱和电流、填充因子和光电转化效率等电性能参数直观反映并影响太阳能电池伏安特性。综上分析，硅晶圆的主要特性参数包括载流子参数。
载流子分为多数载流子和少数载流子，包括电子和空穴。载流子扩散和漂移形成电流构成半导体器件传递信息的基础。载流子输运参数是描述载流子运动和浓度的基本参数，主要包括载流子寿命、扩散系数及前、后表面复合速率等。这些参数直接反映了半导体材料的物理特性和电学性能，影响载流子浓度、迁移率；掺杂浓度是决定载流子浓度另一重要参数，影响材料电阻率和载流子寿命等参数，决定器件性能。
载流子浓度
多数半导体器件为少数载流子器件，如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下，空穴和电子浓度相等，此时为稳态；当受到外部激励（光、电、热等能量激励）时，半导体处于非平衡状态，电子和空穴均增加，形成过剩载流子。载流子寿命（lifetime），是指过剩载流子平均存在时间，载流子浓度满足指数衰减规律。
载流子寿命
载流子寿命根据载流子复合类型可分为辐射复合寿命、俄歇复合寿命以及Shockley-Read-Hal（SRH）复合寿命。载流子寿命是反映材料和器件缺陷浓度的重要参数，也是衡量器件开关速度、电流增益、电压等特性的重要指标，同时对半导体激光器、光电探测器以及太阳能电池等光电子器件的电光和光电转化效率起到重要作用。
表面复合速率
载流子既在材料体内发生复合也在表面发生复合。表面复合寿命或表面复合速率（Surface recombination velocity，s）是描述载流子在表面复合快慢的物理量。表面复合寿命越大说明表面复合速率越低，反之，表面复合速率越高。表面粗糙度、表面悬挂键等表面物理性质和状态是影响表面复合速率的关键。表面复合速率是表征材料的表面质量的重要性能参数。
有效寿命
载流子有效寿命是将体寿命和表面复合寿命综合的参数，是特定样件载流子整体寿命的表征。目前大多数检测技术检测的载流子寿命为载流子有效寿命，无法将体寿命和表面复合速率分离，因此很难逐一分析表面处理工艺、体内缺陷和掺杂等过程对硅晶圆和太阳能电池性能的影响。
扩散系数
扩散系数（Diffusion coefficient，D）是表征在单位时间单位面积上，载流子通过界面快慢的物理量。扩散系数和载流子寿命共同决定载流子扩散长度（Diffusion length），扩散长度是评价材料性能的典型参数，载流子扩散长度越长材料质量越好；对于太阳能电池来说，载流子扩散长度越长载流子分离和收集效率越好、光电转化效率越高。
掺杂
掺杂是形成功能半导体的必要环节，掺杂浓度对电阻率和载流子输运参数有着重要影响。本征半导体，即不掺杂半导体，常温时电阻率非常高，随着掺杂浓度增加，电阻率降低，载流子寿命和扩散长度逐渐降低。