查字网-字源字典字源网-汉字源流-字源字典-chaziwang.cn

向半导体衬底中注入第一导电杂质离子，由此形成阱区，其上再形成栅极。

栅极绝缘层置于所述公共栅极电极和所述半导体衬底的所述鳍对之间。

并且本发明还提供了一种包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构的栅极顶部宽度大于栅极底部宽度。

其是由一个控制栅极、一个阴极和一个阳极组合起来的真空管。

在同一次像素的每一区域的下电极通过相异的开关组件（如TFT）电连接于栅极线与数据线的至少一个。

栅极，被张架在安装部件之间，并被设置在屏蔽罩的开口部；

浮置栅极接触分隔件，并具有从下部向上部逐渐增加的宽度。

通过协同作用，两个栅极就能够控制无掺杂沟道，而无需让沟道细得离谱。

置于所述至少一个导电保护电极之上但是与所述导电保护电极隔离开的栅极；

本发明涉及具有周围栅极（GAA）结构的能够实现高操作性能的半导体器件。

一放大器，具有一输入端以及一输出端，并且在该栅极与源极之间，提供一回授路径；

在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区。

以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。

同时他还强调了公司最近的热点的22纳米3D晶体管技术，被称为三栅极晶体管。

在FET器件中，栅极电场的存在会调节源极和漏极之间的电流。

之后，还可进行制造字线区域的多个堆叠栅极结构以及选择栅极区域的选择栅极结构的工艺。

以及在该栅极氧化层图案、该金属氮化层图案和该硅化物的侧面上的间隔物。

源极区域形成于该基底中，且分布于该栅极结构层的外围周边。

当由栅极施加的电流足够强的时候，电子会在源极和栅极之间进行流动。

源区和漏区形成在鳍部内栅极的相对侧处。

通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。

其次，我们制备了具有条状栅极和网状栅极的SIT-OLET。

该植入前薄膜可以修补因为蚀刻过程所造成的栅极迭层边缘的损坏。

实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。

改进的栅极层则能够进一步缩短栅极-阴极之间的有效距离，有利于降低栅极的工作电压。

不均匀的沟道氧化物可能会造成栅极和沟道间的不均匀的场。

且将一逻辑门电路连接至所述编程晶体管的栅极。

因此，通过改变栅极信号的传输模式，可以基本上防止颜色混合。

这样长度的栅极将可以让摩尔定律继续成立一些年。

等离子体的电位梯度跨越栅极，热灯丝将从等子体中抽取的离子超向灯丝。

这一电压在栅极氧化物层上产生一个电场，它导致毗邻的P型衬底转变成N型。

以所述图形化的抗蚀剂层和所述栅极为掩膜，执行离子注入操作。

电子器件质量评定协调体系.空白详细规范.单栅极场效应晶体管

以及形成在该凹槽区域内的栅极结构。

相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。

开关元件可以形成于像素区域中的绝缘衬底上，像素区域由彼此相邻的栅极线和数据线限定。

之后，在栅极上方的栅介电层上形成通道层，且通道层的材质为浅掺杂非晶硅。

介电层图案和控制栅极可以顺序形成在浮置栅极上。

阴极上只需要丝印碳纳米管，无需制作介质层和栅极，解决了场致发射源被破坏的问题。

栅极引脚控制一个双N沟道MOSFET，以确保仅在OV和UV窗口内的电压通过并至输出。

而采用栅极接线的光电发电系统则是各种光电应用中最重要的一种。

电流密度在纳米线顶端边缘处最大，而且随着栅极电压的增加而呈指数增加。

在栅极、源极和漏极表面形成自对准金属硅化物。

在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及交错型阴极调节结构；

每个晶体管可以由形成在半导体上的栅极绝缘层形成。

在另一实施例中，本发明方法包括作为下栅极导体的金属。

该半导体器件的一种包括半导体衬底、公共栅极电极和栅极绝缘层。

应当注意的是它对射频是接地的，将振荡部分与其他栅极还有阳极屏蔽起来。

所述发生器包括一个配置为当通过电子撞击到其上而被加热时能产生出可电离气体的栅极。

在本文中著重讨论了IGBT栅极驱动及保护的基本问题，并介绍了几个新的应用实例。

图1描绘可施加于快闪存储器装置的一个或一个以上控制栅极的编程电压的一个实例。

格勒热相信通过使用更多的电极能够提高准确率，而且这个研究小组现在也在尝试121个感应器的栅极。

应用云母板作为栅极基底，结合常规的丝网印刷工艺，制作了改进的栅极结构。

栅极长度可以比半导体制造设计规则所指定的最小值大。

并提出并联栅极强脉冲同步触发的解决方案。

该碳纳米管场发射体可防止栅极与碳纳米管之间发生短路。

电荷陷入结构设置于栅极与鳍状结构之间。

以及在该有源区域中的突起的栅极形成区域上形成栅极。

一种影响是在保持、甚至改善栅极漏电水平的同时改善晶体管性能。

栅极电极驱动电路用以于数据电极被驱动时驱动对应的栅极电极。

接着，在基板上形成栅介电层，且栅介电层覆盖栅极。

本发明提供了混合栅极的金属氧化物半导体晶体管。

栅极基底的优良绝缘性能确保了其不易被强电场强度所击穿；

以及一电压提升装置，用以控制该第一MOS晶体管及该第二MOS晶体管的栅极；

如此形成的晶体管的阈值电压由保持在浮动栅极上的电荷量控制。

面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。

在一个具体的实施方案中，该栅极区由图案化非晶硅层制成。

阴极发射出电子用以加热栅极并和产生的可电离气体原子相碰撞来产生离子。

以及沉积于所述栅极氧化物之上的栅极多晶硅。

如今的闪存设备是用一个单独的浮置栅极来存储电荷，来保持数据。

在半导体基板的上面通过栅极绝缘膜设置由多晶硅构成的浮栅。

在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。

读出晶体管具有源极、漏极以与栅极，栅极电耦合至丰氧化硅光传感器的阴极。

你可以把栅极切成两半，而每部分仍然能够拍出同样的照片。

此外，一种制作下栅极式薄膜晶体管的方法也在此揭露。

栅极线和数据线可以形成于绝缘衬底上。

适当的预编程时间间隔后，微处理器系统通过Q2的栅极被置于逻辑零而实现自我关闭。

所述半导体器件还包括沟槽栅极（32），其通过绝缘层（33）面对部分所述中间区。

另外，形成一栅极材料层于绝缘层上。