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在搁置溅射镀镍的编制洋，平刻胶与镍交联后变得格外坚硬，极易爆发水纹。

而溅射靶材多以金属纯钼板材为主。

豺狼战车是一个强大的攻守兼备的单位，但它的站位要很小心，以防你自己的单位受到溅射伤害。

所述的合金组合物优选形成为用于薄膜应用领域的溅射靶。

另外，还披露了用于制造这种介质的方法，例如倾斜溅射或选择性蚀刻。

本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容。

本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。

同时探讨了溅射气氛对薄膜表面形貌、疏水性能及表面能的影响。

溅射总需求也会趋于减少资本需求。

它仍然是溅射伤害，还获得了暗黑执政官得反馈能力。

之称的猴子，溅射和随地吐痰了水。

其中，斜射流的情况还考虑了倾角对于溅射过程的影响。

研究结果表明，磁控溅射制备的碳氟膜为非晶结构。

对于反应溅射，可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。

给出了一类利用伪随机序列产生伪随机序列的方法一字节溅射法。

使用设有冷却手段的溅射装置，可以提高成膜工序的产量。

在任何情况下都要用阵型移动和Ctrl+X让你的毒液散开，否则溅射伤害会让你的部队损失惨重。

采用热蒸发镀膜与磁控溅射一样也能生产出性能优良的幕墙玻璃。

研制了一种由非蒸散型消气剂泵与冷阴极溅射离子泵组成的复合泵。

设计了一种网状阴极溅射靶，它是由多个空心阴极并列交叉组合而成。

溅射薄膜应变测量技术为我们提供了良好的稳定性和很高的破坏额定压力值。

本文论述了在空心微珠表面磁控溅射镀金属薄膜的方法。

提供了一种磁控溅射设备和薄膜制造方法。

由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度。

磁控溅射中高沉积速率有利于获得高纯度薄膜，节省镀膜时间；

突然炉火溅射了出来，照亮了他眼中的悲哀。

所有涂料通过混合物理气相沉积过程，结合磁控溅射和脉冲激光沉积的制备。

近年来随着液晶屏幕尺寸的不断增大，与之对应的溅射板形钼靶也随之增大了其自身的面积。

溅射中我们通常使用氩，优点是氩是一种原子气体，而且在化学性质上是惰性的。

它可广泛应用于磁控溅射镀膜技术领域。

增加溅射气压会导致薄膜载流子浓度、迁移率下降和电阻率上升；

本发明属于溅射镀膜技术领域，特别是涉及一种卷绕式双面镀膜设备；

利用直流磁控溅射法在树脂基复合材料基底上制备了ITO低红外发射率薄膜。

利用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积技术在玻璃表面制备了矽膜。

文章介绍了溅射靶材的种类、应用及制备情况。并对靶材的发展趋势作了探讨。

采用附加保压工艺保压，进一步制得溅射靶材的烧结坯体。

毁灭战舰的射程和溅射，使它们在消灭外壳时有很大优势。

采用低温辐射式加热器和衬底加热器对有机半导体材料进行蒸发或溅射镀膜能够取得良好效果。

一种高靶材利用率的矩形靶，用于磁控溅射金属镀膜；

薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。

我把一些溅射伤害的概要收集到一起万一任何人有关于溅射伤害的问题。

通过磁控溅射法制备了锑基铋掺杂超分辨掩膜材料。

蒸发层和溅射层的选择刻蚀是保证成品的关键步骤。

行星堡垒的溅射不会伤害到友军单位，但攻城坦克的溅射伤害仍会。

溅射，口吃和诋毁通过原绕口令数十你的方式，从押韵动物的故事，一个简短而亲切的俏皮话。

中和阴极灯丝置于离子束外可避免离子束的直接溅射；

用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程。

形成附着区域可以包括将该第一材料溅射到该流体喷射器衬底上，并且形成该第一材料。

溅射物的成分反映了太湖靶岩基岩岩性特征。

分析了氘饱和状态下液态锂作为包层流动液帘表面的溅射问题，得到了氘饱和状态下和固态的溅射产额。

研究结果表明，溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响。

溅射气压和时间分别影响铝层在氟塑料表面的沉积速率和生长厚度。

以所述靶材为原料，经一步溅射可获得CIGS薄膜。

在小角入射时势能溅射所占比重会增大。

在热，电子束，溅射，磁控，离子和激光沉积中，用做厚度监测

在大角度入射时，溅射产额主要是由碰撞引起的；

一些活动星系发出高能的喷射和溅射——带电的粒子。

当巨像攻击一个目标的时候，它会在自己面前造成一条水平线上的溅射伤害。

毁灭之球-斯芬克司可以释放强力的溅射伤害。这是个自动施放技能。

通过对其光电性能的分析测试，探讨了溅射温度对氧化钛薄膜性能的影响。

本文简要介绍准分子激光溅射法制备高温超导薄膜的实验技术。

采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮（BCN）薄膜。

采用磁控溅射法制备锰铜薄膜，溅射和真空蒸发法制备镱薄膜。

溅射工艺用源材料。

射频溅射沉积的薄膜均匀性和致密性要优于直流溅射沉积的薄膜。

本文研究采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟锡（ITO）透明屏蔽薄膜。

本文采用大连工大学三束实验室自主研发的双放电腔微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射系统制备了SiCN薄膜。

采用磁控溅射方法，在微晶玻璃制备了多层膜。

利用非平衡磁控溅射技术在单晶硅基底上沉积了类石墨非晶碳膜。

探索了利用真空溅射技术在光纤纤芯上沉积纯铝腐蚀敏感膜的工艺。

本文将主要叙述等离子溅射镀膜的原理与方法，并且简单介绍磁控管溅射仪和锇等离子镀膜仪等。

介质薄膜的制备方法有很多，主要有溶胶—凝胶（Sol-Gel）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、RF磁控溅射法等。

之后进行离子溅射；再进行籽晶层沉积。

对于溅射，脉冲，协同模式建议使用水冷焊枪？

获得了直流磁控溅射法制备具有良好光电特性的ZMO薄膜的最佳工艺条件；

为了提高溅射层的均匀性，要求溅射靶材具有较高的致密度（在99.7%以上）。

并对比了直流二极溅射与其他镀膜方式的优缺点。

结果表明，在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管。

用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。

第四章研究了射频磁控共溅射制备光催化Ag-TiO2薄膜；